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一种绝缘体上半导体(SOI)衬底包括：处理衬底；电荷捕获层，位于处理衬底之上且包含经氮掺杂的多晶硅；绝缘层，位于电荷捕获层之上；以及半导体材料层，位于绝缘层之上。在用于形成SOI衬底的退火工艺期间以及用于在半导体材料层上形成半导体器件的后续高温工艺期间，电荷捕获层中的氮原子会抑制晶粒生长。晶粒生长的减慢会减少SOI衬底的变形，且在制作半导体器件期间有利于光刻图案的重叠。电荷捕获层会抑制寄生表面传导层的形成，且在高频率操作(例如在千兆赫的范围内操作)期间会减少半导体器件与处理衬底的电容性耦合。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113206108 A
(43)申请公布日 2021.08.03
(21)申请号 202011228572.7
(22)申请日 2020.11.06
(30)优先权数据
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