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本发明提供的一种半导体器件及其制造方法，在所述的半导体器件的制造方法中，通过在第二阱区中形成横向排列的第四掺杂区和第二掺杂区，以使所述第二掺杂区和所述第四掺杂区组成齐纳二极管的PN结。由于所述第二掺杂区和所述第四掺杂区横向排列，因此，所述第二掺杂区和所述第四掺杂区的掺杂深度可以相同，故所述第二掺杂区可以与其导电类型相同的第一掺杂区在同一步骤中形成，以及所述第四掺杂区可以与其导电类型相同的第三掺杂区在同一步骤中形成，由此，在形成所述齐纳二极管时，无需采用额外的掩膜版及相应的光刻胶层，从而降低工艺成
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113192840 A
(43)申请公布日 2021.07.30
(21)申请号 202110466672.1
(22)申请日 2021.04.27
(71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
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