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本发明提供了一种半导体器件的制备方法，包括：提供基底，在所述基底内形成若干栅极结构及若干目标区，所述目标区排布在所述栅极结构的两侧；在所述基底的表面上形成介质层；在所述介质层上形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层具有若干第一开口，一个所述第一开口与一个所述目标区对准；以所述图形化的光刻胶层为掩膜刻蚀所述介质层，以在所述介质层内形成若干第二开口；去除所述图形化的光刻胶层；以及，沿着所述第二开口底部刻蚀所述基底的部分深度以形成若干第三开口，一个所述第二开口与一个所述第三开口联通并构成第一连接通
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113192827 A
(43)申请公布日 2021.07.30
(21)申请号 202110461289.7
(22)申请日 2021.04.27
(71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
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