晶体硅太阳能电池钝化层及其制备方法、电池.pdfVIP

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2023-06-15 发布于四川
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晶体硅太阳能电池钝化层及其制备方法、电池.pdf

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本发明公开了一种晶体硅太阳能电池钝化层的制备方法，其包括：(1)提供硅片，并对所述硅片进行预处理；(2)将预处理后的硅片湿法氧化，形成SiO2层；(3)将所述SiO2层进行氢化处理，即得到晶体硅太阳能电池钝化层成品。相应的，本发明还公开了一种晶体硅太阳能电池钝化层，本发明还公开了一种含有上述钝化层的晶体硅太阳能电池。实施本发明，可减少硅片表面的悬挂键，降低表面态密度，提升钝化层的钝化效果。同时，本发明中的制备方法能耗小，成本低，所需设备简单，适合大规模半导体生产工艺。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113161448 A (43)申请公布日 2021.07.23 (21)申请号 202110291184.1 H01L 31/068 (2012.01) (22)申请日