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- 2023-06-15 发布于四川
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本公开实施例是有关于一种半导体结构。半导体结构包含第一层间介电层,第一层间介电层设置于半导体基板的上方。下导电结构设置于第一层间介电层之内。覆盖层沿着下导电结构的顶表面连续地延伸。上层间介电结构覆盖于下导电结构之上。导电体设置于上层间介电结构之内。导电体的底面直接覆盖于下导电结构的顶面之上。导电体的底面的宽度小于下导电结构的顶面的宽度。扩散阻挡层设置于导电体与上层间介电结构之间。扩散阻挡层从直接设置于导电体的底面和下导电结构的顶面之间的区域侧向偏移一非零距离。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113206036 A
(43)申请公布日 2021.08.03
(21)申请号 202110259671.X
(22)申请日 2021.03.10
(30)优先权数据
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