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本发明提供了基于掺杂(Si)GeSn有源区的CMOS技术兼容硅基光源器件及其制备方法。所述的基于掺杂(Si)GeSn有源区的CMOS技术兼容硅基光源器件包括Si衬底、n型缓冲层、n型下覆层、有源层、p型上覆层及SiN应力膜和n型、p型金属电极，所述有源层为掺杂的GeSn或SiGeSn有源层，所述掺杂的GeSn或SiGeSn有源层的掺杂类型为n型掺杂或p型掺杂，所述n型掺杂可为P(磷)掺杂或Sb(锑)掺杂，所述p型掺杂可为B(硼)掺杂。本发明能大幅提升器件发光效率，提升器件工作温度，降低阈值电流或
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113193089 B
(45)授权公告日 2022.06.24
(21)申请号 202110482973.3 H01L 33/00 (2010.01)
(22)申请日 2021.04
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