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门电路讲述资料;§ 3.1 概述;SSI：小规模集成电路 MSI：中规模集成电路 LSI：大规模集成电路 VLSI：超大规模集成电路（ＣＰＬＤ-复杂可编程逻辑器件／ＦＰＧＡ-现场可编程逻辑器件）;在数字电路中，一般用高电平代表1、低电平代表0，即所谓的正逻辑系统。 反之，用高电平代表0、低电平代表1，即所谓的负逻辑系统。; 获得高、低电平的基本原理; 数字电路中的晶体二极管、三极管和MOS管工作在开关状态。 　　导通状态：相当于开关闭合 　　截止状态：相当于开关断开。;§ 3.2 半导体二极管门电路;正向导通时UD(ON)≈0.7V（硅） 0.3V（锗） RD≈几Ω ～几十Ω 相当于开关闭合 ;反向截止时 反向饱和电流极小 反向电阻很大（约几百kΩ） 相当于开关断开;二极管伏安特性的几种近似;导通：ui 死区电压（0.5V），正向压降UD （0.7V）—相当于开关导通。;D1通;3.2.3二极管或门;3 .3CMOS门电路;; 1． 当vGS=0V时; 2． 当vGS＞0时;二 MOS管的输入特性和输出特性：;;;五 P沟道增强型MOS管;输出特性曲线;NMOS管和PMOS管的通断条件;3.3.2 CMOS反相器的电路结构和工作原理;;;;二、传输特性 ;三.输入端噪声容限;?VDD：5 ~ 18V ;74HC系列;二、输出特性 ;有0出1;改进;与非;二、OD门(漏极D开路)及应用 ;实现线与功能;VOH=VDD?IRLRL=VDD?(nIOH+mIIH)RL ;(2)输出低电平VOL时计算RLmin;例：如图所示电路，G1,G2,G3为OD输出的与非门74HC03，输出高电平的漏电流最大值为IOH(max)=5uA，输出低电平为VOL(max)=0.33V允许的最大负载电流为IOL=5.2mA.负载门74HC00的高电平输入电流最大值IIH(max)和低电平输入电流最大值IIl(max)均为1uA。其它参数：VDD=5V,VOH 4.4V,VOL 0.33V。求RL的取值范围;三.双向模拟开关、传输门(TG);利用CMOS传输门及CMOS反相器可构成各种复杂的逻辑电路，如数据选择器、寄存器及计数器等，也可构成模拟开关。;四、TS三态门;低电平有效三态单向传输门 ; ;低电平有效三态非门 ;练习：如图所示，求输出端的表达式;三态门广泛用于数据总线结构;解: (1) 输入电压uI为0V时，三极管反偏截止，uO=UCC=5V;3.5.2TTL反相器的电路结构和工作原理;1、输入为低电平“0”=0.3V时;2、输入为高电平“1”=3.4V时;UOL;1、输出高电UOH、 输出低电???UOL;？;TTL门电路;二、输出特性;TTL门电路;;前级;前级输出为 高电平时;TTL门电路;TTL门电路;练习4：判断如图TTL电路输出为何状态？;例:VOH=3.4V，VIHmin=2V，IIH=0.04mA VOL=0.2V，VILmax=0.8V，求RP=？;;求前级输出为高电平时扇出系数NH=？;;练习5：如图电路，已知 74S00门电路GP参数为： IOH/IOL= –1.0mA/20mA；IIH/IIL= 50μA/–1.43mA （1）试求门GP的扇出系数N是多少？;共发：输入基极，输出集电极，反相 共集：输入基极，输出发射极，同相 共基：输入发射极，输出集电极，同相;3、与或非门（1.,2.结合）;TTL门电路;;;;1、OC门可以实现“线与”功能;VOH=VCC?IRLRL=VCC?(nIOH+mIIH)RL ;(2)输出低电平VOL时计算RLmin;例：;三、三态输出门（ TSL门）;;;功能表;P=EN=1，D止;三态门广泛用于数据总线结构;;;感谢观看!