原创力文档- 1、本文档共11页，其中可免费阅读10页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
- 2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
- 3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
一种在基板上形成低温硅化物膜的方法，将原料气体供应到团簇形成室以形成气体团簇；将气体团簇移至电离加速室以形成气体团簇离子束GCIB；将GCIB注入处理室中，该处理室容纳基板；通过注入装置将前驱物气体注入到处理室中，其中注入装置以使得前驱物气体到达基板的局部区域的方式定位在处理室的顶部上；和通过在前驱物气体存在下用GCIB轰击基板，在基板上形成硅化物膜；将所述GCIB注入所述处理室是通过位于所述电离加速室与所述处理室之间的孔执行的，以形成准直的GCIB。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113186512 A
(43)申请公布日 2021.07.30
(21)申请号 202110447250.X C23C 16/02 (2006.01)
文档评论（0）