半导体第十三讲金属化与平坦化.pptVIP

加入氨气可将生长温度降至450℃以下，淀积膜的电阻率下 降，因此可用于通孔填充。MOCVD的化学反应活化能很 低，是扩散限制的反应机制，镀膜速率与反应物扩散至 wafer表面的速率有关，所以当反应物扩散至通孔内壁时产 生反应成键，覆盖率较低。 针对MOCVD法淀积的氮化钛膜含C、O量过多的问 题，有一些方法加以改善：快速热退火、氮气等离子体法、 硅烷气体处理。 * 目前三十一页\总数五十九页\编于二十点 （2）钨CVD 钨在高电流密度下有很好的抗电迁移能力，不会形成小 丘导致线路短接，且低压下可与硅形成良好的欧姆接触，常 常用作接触窗以及介质窗的填充金属和扩散阻挡层。因其电 阻率较低，也常用于多层互连及局域互连。 钨CVD典型的被淀积成垫膜的形式，最常采用的是通过 与氢气反应生成钨 * 目前三十二页\总数五十九页\编于二十点 为了阻止钨的扩散、保证它能很好的粘附在下层材料 上，需要在淀积钨之前淀积一层氮化钛膜。而为了得到低的 接触电阻，又需要在淀积氮化钛之前淀积钛。所以，垫膜 CVD的第一步是采用物理气相淀积法制备钛膜，接着淀积 一层氮化钛膜，最后再进行钨的淀积与平坦化. * 目前三十三页\总数五十九页\编于二十点 * 目前三十四页\总数五十九页\编于二十点 * 目前三十五页\总数五十九页\编于二十点