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一种漏极共用的沟槽式双MOS管器件及制造方法，属于半导体技术领域。包括衬底（19）、漂移区（18）以及沟槽（13），其特征在于：在沟槽（13）内中部的多晶硅分为第一多晶硅（12）和第二多晶硅（14），在两个沟槽（13）之间的MOS结构上开设有底层接触孔（6），在MOS结构的表面设有连接层。还包括如下步骤：步骤1，第一次氧化及光刻；步骤2，第一次氧化物沉积；步骤3，第二次氧化；步骤4，第二道光刻；步骤5，第二次氧化物沉积；步骤6，在漂移区（18）上方形成MOS结构；步骤7，形成连接层。在本漏极共用
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 108766965 A
(43)申请公布日
2018.11.06
(21)申请号 20181
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