高阻衬底上的GaNHEMT管芯结构.pdfVIP

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2023-06-15 发布于四川
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高阻衬底上的GaNHEMT管芯结构.pdf

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本发明公开了一种高阻衬底上的GaNHEMT管芯结构，涉及GaNHEMT器件结构技术领域，自下而上包括接地层、衬底、沟道层、势垒层、绝缘介质、台面、填充区、栅极、源极和漏极；栅极和漏极下面为绝缘介质，栅极和漏极正下方的势垒层和沟道层被掏空形成填充区，填充区内填充金，接地层为金，栅极和漏极正下方的势垒层和沟道层被掏空形成填充区，然后填充金，由于金具有良好的导电性，因此栅极和漏极对地之间的寄生电导减小，从而降低了射频信号在衬底上的损耗，提高器件的射频性能。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 107104142 A (43)申请公布日 2017.08.29 (21)申请号 20171