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一种基于羽毛状多孔氧化物忆阻器.pdfVIP

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  • 2023-06-15 发布于四川
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一种基于羽毛状多孔氧化物忆阻器.pdf

    本发明提出一种基于羽毛状多孔氧化物忆阻器，整体结构由下至上依次包括底电极层、多孔缓冲层、氧化物层、顶电极层；底电极层为P型(100)高掺硅，电阻率

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113206191 B (45)授权公告日 2022.07.22 (21)申请号 202110305417.9 CN 105745754 A,2016.07.06 (2

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