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存储器单元以及形成存储器单元的方法.pdfVIP

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  • 2023-06-15 发布于四川
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存储器单元以及形成存储器单元的方法.pdf

    本发明实施例涉及存储器单元以及形成存储器单元的方法。本发明的一些实施例揭示一种存储器单元，其包含：第一晶体管，其具有耦合到位线的第一扩散区及耦合到第一字线的第一栅极电极；第二晶体管，其具有耦合到所述位线的第二扩散区及耦合到第二字线的第二栅极电极；及第三晶体管，其具有耦合到所述第一晶体管的第四扩散区的第三扩散区、耦合到所述第二晶体管的第六扩散区的第五扩散区及耦合到第三字线的第三栅极电极；其中所述第一晶体管经布置以具有第一阈值电压，所述第二晶体管经布置以具有第二阈值电压，且所述第二阈值电压不同于所述

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113205850 A (43)申请公布日 2021.08.03 (21)申请号 202110333551.X (22)申请日 2021.03.29 (30)优先权数据

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