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3D存储器件及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-06-15 发布于四川
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3D存储器件及其制造方法.pdf

    本申请公开了一种3D存储器件及其制造方法。该3D存储器件包括：栅叠层结构，包括交替堆叠的多个栅极导体层与多个层间绝缘层；多个沟道柱，多个沟道柱贯穿栅叠层结构；多个隔离结构，多个隔离结构贯穿栅叠层结构；以及多个导电通道，多个导电通道贯穿栅叠层结构，其中，每个沟道柱至少与一个导电通道相邻设置，每个导电通道用于通过半导体衬底中的共源区向其周围的沟道柱提供电信号，部分导电通道采用隔离结构彼此隔开，隔离结构的宽度不大于导电通道的直径。该3D存储器件在有利于每个沟道柱获得统一的电压的同时还可以提高集成密度。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113206101 B (45)授权公告日 2022.07.29 (21)申请号 202110402549.3 (51)Int.Cl.

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