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本发明公开了一种同步上下行光照明通信单芯片器件及制造方法，芯片的结构包括衬底、调制掺杂半导体复合层、超薄介质层、透明导电层、第一电极和第二电极；其中调制掺杂半导体复合层包括掺杂GaN层以及设于掺杂GaN层之上的GaN/InGaN多量子阱；该器件具有白光发射通道和不可见光探测通道，白光发射通道具有照明及下行信号调制发射功能，不可见光探测通道具有上行调整信号接收功能，两通道可在单芯片上进行光的独立平行传输，并且实现上行电信号的接收和下行电信号的发送。本发明还提供了一种全双工可见光无线通信系统。本发明
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113178504 B
(45)授权公告日 2022.05.10
(21)申请号 202110261170.5 H01L 33/00 (2010.01)
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