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本发明公开了一种阵列基板及其制备方法、显示装置,所述阵列基板包括:基板;多个第一薄膜晶体管,设于所述基板上,所述第一薄膜晶体管包括第一栅极层和第二栅极层,所述第二栅极层设于所述第一栅极层远离所述基板的一侧;多个第二薄膜晶体管,设于所述基板上,所述第二薄膜晶体管包括第三栅极层;栅极绝缘层,设于所述第一栅极层和所述第二栅极层之间,以及所述第三栅极层靠近所述基板的一侧表面,所述栅极绝缘层为氮化硅材料。本发明的有益效果在于,本发明的阵列基板及其制备方法、显示装置,采用含氢量较高的氮化硅材料作为栅极绝缘层
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113192978 A
(43)申请公布日 2021.07.30
(21)申请号 202110389441.5
(22)申请日 2021.04.12
(71)申请人 武汉华星光电技术有限公司
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