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本发明提供了一种MOM电容的形成方法中,包括:提供半导体基底,包括相邻的第一区和第二区,在半导体基底上分别形成顶层金属层和钝化层;部分刻蚀位于第一区的钝化层露出顶层金属层的表面,以形成呈叉指形状的图案化的钝化层;以图案化的钝化层为掩膜刻蚀位于第一区的顶层金属层和部分半导体基底,以形成呈叉指状的图案化的顶层金属层和图案化的半导体基底;在图案化的钝化层表面和图案化的半导体基底的表面形成介质层,介质层覆盖图案化的钝化层、图案化的顶层金属层和图案化的半导体基底的侧壁;刻蚀位于第二区的介质层和图案化的钝化
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113192926 A
(43)申请公布日 2021.07.30
(21)申请号 202110313014.9
(22)申请日 2021.03.24
(71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
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