一种半导体晶圆阶梯切割用高强度划片刀及制作方法.pdfVIP

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2023-06-15 发布于四川
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一种半导体晶圆阶梯切割用高强度划片刀及制作方法.pdf

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本发明公开的一种半导体晶圆阶梯切割用高强度划片刀及制作方法，刀刃靠近盘状基体段的厚度大于远离盘状基体段的厚度，消除电镀过程中尖端效应导致的刀刃根部过于薄弱的缺点，可以将刀刃长度做的更长，进而可以提高划片刀划切半导体晶圆的使用寿命；从原理上实现刀刃厚度一致，可以直接提高划片刀的极限转速和进刀速度，进而可以提高加工效率；刀片反复参与切割，刀刃根部疲劳断裂容易导致的过早断刀，而刀刃根部的强化可以延迟断刀的发生，刀刃根部的强化，可以减少切割过程中的刀刃摆动，减少切割过程中的正崩、背崩以及侧裂。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113172779 B (45)授权公告日 2022.06.03 (21)申请号 202110359262.7 (51)Int.Cl.