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半导体封装结构及其形成方法.pdfVIP

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  • 2023-06-15 发布于四川
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半导体封装结构及其形成方法.pdf

    本发明涉及一种半导体封装结构及其形成方法。半导体封装结构，其特征在于，包括：中介层，具有上表面；重分布线(RDL)，位于中介层的上表面上；硅光芯片，位于重分布线上；第一管芯，与硅光芯片横向偏移并具有朝上的主动表面，并且第一管芯内埋于中介层的上表面下方的腔体内，其中，第一管芯的主动表面通过重分布线与硅光芯片电连接。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113206070 A (43)申请公布日 2021.08.03 (21)申请号 202110257627.5 (22)申请日 2021.03.09 (71)申请人 日月光半导体制造股份有限公司

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