1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

半导体装置的形成方法以及半导体装置.pdfVIP

  • 2
  • 0
  • 约6.96万字
  • 约 100页
  • 2023-06-15 发布于四川
  • 举报

半导体装置的形成方法以及半导体装置.pdf

    一种半导体装置的形成方法以及半导体装置。在一实施例中，一种形成一半导体装置的方法包括：在第一基板上方形成第一晶体管及第二晶体管；在第一晶体管及第二晶体管上方形成前侧互连结构；蚀刻第一基板的至少一背侧以暴露第一晶体管及第二晶体管；形成电连接至第一晶体管的第一背侧通孔；形成电连接至第二晶体管的第二背侧通孔；在第一背侧通孔及第二背侧通孔上方沉积介电层；在介电层中形成第一导电接线，第一导电接线为经由第一背侧通孔电连接至第一晶体管的电源轨；及于介电层中形成第二导电接线，第二导电接线为经由第二背侧通孔电连接

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113206037 A (43)申请公布日 2021.08.03 (21)申请号 202110260054.1 (22)申请日 2021.03.10 (30)优先权数据

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >