半导体结构及其制备方法.pdfVIP

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2023-06-15 发布于四川
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半导体结构及其制备方法.pdf

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本发明提供一种半导体结构及其制备方法，包括：存储电路结构；存储电路结构包括外围导电柱塞；外围导电柱塞包括第一填充介质层和包围第一填充介质层的第一导电结构；存储电路结构还包括穿过衬底的穿硅导电柱塞，穿硅导电柱塞与外围导电柱塞电连接，穿硅导电柱塞包括第二填充介质层和包围第二填充介质层的第二导电结构；或穿硅导电柱塞为实心导电结构；半导体结构还包括：引出焊垫，引出焊垫位于第一衬底的背面且电连接穿硅导电柱塞；保护层，保护层覆盖引出焊垫及第一衬底；及含氢/氘材料层，含氢/氘材料层覆盖保护层。本发明的半导体结

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113178431 A (43)申请公布日 2021.07.27 (21)申请号 202110382494.4 H01L 27/11524 (2017.01)