半导体器件及其形成方法.pdfVIP

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2023-06-15 发布于四川
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半导体器件及其形成方法.pdf

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器件包括：包含第一晶体管的器件层；第一互连结构，位于器件层的前侧上；以及第二互连结构，位于器件层的背侧上。第二互连结构包括：第一介电层，位于器件层的背侧上；接触件，穿过第一介电层延伸至第一晶体管的源极/漏极区域；导线，通过接触件电连接至第一晶体管的源极/漏极区域；以及散热路径，热连接至器件层，散热路径延伸至第二互连结构的与器件层相对的表面。散热路径包括伪通孔。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113161354 A (43)申请公布日 2021.07.23 (21)申请号 202110176500.0 (22)申请日 2021.02.09 (30)优先权数据