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本发明为用于宽禁带半导体SiCMOSFET的短路保护结构及保护方法，包括比较和逻辑关断电路、RCD积分电路、复位电路，所述RCD积分电路包括积分电容Cf、积分电阻Rf、阻断二极管Dblo、接地电阻Rgro，接地电阻Rgro并联在阻断二极管Dblo两端，阻断二极管Dblo的正极端依次连接积分电阻Rf、积分电容Cf；积分电容Cf的另一端接地Vs,积分电容Cf的接地端连接SiCMOSFET的开尔文源极，阻断二极管Dblo的负极端连接SiCMOSFET的功率源极；RCD积分电路的输出端从积分电容C
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 111585553 A
(43)申请公布日
2020.08.25
(21)申请号 20201
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