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高压(HV)复合开关可以包括耦合电路系统，以帮助提供更好的压摆率(dV/dt)控制，诸如以限制在开关期间可能会导致非期望EMI的电磁能量辐射。进一步地，当复合开关处于“导通”状态时，通过可控地正向偏置“常开”JFET，可以提高效率和导通状态电阻。在这种导通状态下，可以诸如通过监测JFET的栅极‑源极结电压或栅极电流来监测JFET温度。这样的温度信息可以用于控制或其他目的。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113196663 A
(43)申请公布日 2021.07.30
(21)申请号 201980083522.3 (74)专利代理机构 中国贸促会专利商标事务所
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