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本发明公开了一种制备单晶镍铁氧体薄膜的方法,包括以下步骤:在室温下,采用镍铁氧体靶材,在单晶基片上通过磁控溅射,制备得到单晶镍铁氧体薄膜。本发明在室温下通过磁控溅射法可以制备得到单晶镍铁氧体薄膜,无需在溅射过程中对基片进行加热或是后续进行热处理,操作简单,可重复性高,应用前景广阔。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113235159 B
(45)授权公告日 2022.07.01
(21)申请号 202110370455.2 C04B 35/622 (2006.01)
(22)申请日 2021.0
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