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本发明属于SiC半导体器件制作及可靠性技术领域，一种利用含氯元素的氧化后退火技术改进SiCMOSFET器件性能的方法，包括以下步骤：(1)采用RCA工艺对SiC晶片进行清洗，(2)对SiC晶片进行氮氧氧化，(3)对步骤2处理后的样品在含氯元素气氛下进行氧化后退火处理，(4)对步骤3处理后的样品进行涂胶、光刻、腐蚀、去胶、离子注入形成源区和漏区，(5)完成SiCMOSFET的制作。本发明通过在氧化中引入氮元素，在退火中引入氯元素，既可以有效消除SiC/SiO2界面附近陷阱，又可以通过氯元素固定S
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113223940 A
(43)申请公布日 2021.08.06
(21)申请号 202110488696.7
(22)申请日 2021.04.28
(71)申请人 大连理工大学
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