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三维半导体存储器件.pdfVIP

三维半导体存储器件.pdf

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    一种三维3D半导体存储器件包括电极结构，所述电极结构包括堆叠在半导体衬底上的多个电极，并且电极结构沿第一方向延伸并在垂直于第一方向的第二方向上通过分离区域彼此间隔开。3D半导体存储器件包括地选择栅电极，所述地选择栅电极包括电极结构的多个电极中的最下面的电极，其中，在地选择栅电极的水平上，分离区域包括第一端部，并且至少一个地选择栅切割区域与分离区域的第一端部重叠，并且使地选择栅电极彼此电隔离。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113224078 A (43)申请公布日 2021.08.06 (21)申请号 202011264686.7 (22)申请日 2020.11.12 (30)优先权数据 10-2020-0

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