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本发明公开了一种用自消失的石墨烯掩膜生长氮化镓的方法，包括氮化镓层、掩膜层与衬底层，衬底层上通过等离子体增强化学气相沉积法直接生长有石墨烯掩膜层，石墨烯掩膜层通过刻蚀形成了光栅状条纹结构，在衬底层上通过金属有机化学气相沉积生长了氮化镓层，石墨烯掩膜层在氮化镓层生长过程中分解消失留下空气间隙。本发明的有益效果：石墨烯掩膜层结构可以有效地降低氮化镓位错，提高其生长质量；由于石墨烯掩膜层在生长过程分解消失，降低了掩膜给氮化镓带来的应力和小角度晶界缺陷。本结构同时也可以应用于除氮化镓以外的III‑V族化
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113241297 A
(43)申请公布日 2021.08.10
(21)申请号 202110345111.6
(22)申请日 2021.03.31
(71)申请人 苏州大学
地址 21
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