一种静态生长单晶金刚石的制备方法.pdfVIP

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2023-06-16 发布于四川
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一种静态生长单晶金刚石的制备方法.pdf

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本发明涉及金刚石基底制备技术领域，具体涉及一种静态生长单晶金刚石的制备方法，将籽晶放置入腔体中，在腔体首先通入氢气充满腔体，产生等离子体；通入含碳气源进行金刚石的生长，金刚石生长过程中间断的通入含碳气源作为补充，保证腔体维持一定的压力，籽晶生长，完成制备。本发明采用氢气整体充满腔体，即氢气作为金刚石反应的催化剂，在腔体内是一定的，甲烷是补充的，甲烷的利用率达到100%。节约成本，合成质量大大提高，以往动态过程中会混入气体杂质，导致纯度不够，现在可以完全避免气体杂质的引入。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113249787 A (43)申请公布日 2021.08.13 (21)申请号 202110322264.9 (22)申请日 2021.03.25 (71)申请人湖北碳六科技有限公司