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有PNP结和垂直对准场效应晶体管的集成电路及其形成方法.pdfVIP

有PNP结和垂直对准场效应晶体管的集成电路及其形成方法.pdf

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    本发明涉及具有PNP结和垂直对准的场效应晶体管的集成电路及其形成方法。本公开的实施例提供了一种集成电路(IC)结构，包括：p型衬底；p阱区，其位于p型衬底内；以及n型势垒区，其位于p型衬底和p阱区之间。n型势垒区将p型衬底与p阱区物理隔离。场效应晶体管(FET)位于p阱区上方，并且p阱区的上表面上的掩埋绝缘体层将晶体管与p阱区分隔开。电耦接到p阱区的第一电压源感应出跨p阱区、n型势垒区和p型衬底的PNP结。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113224053 A (43)申请公布日 2021.08.06 (21)申请号 202110063473.6 H01L 21/8252 (2006.01) (22)申请日

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