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本发明提供了一种晶圆半导体产品、掩膜版以及光刻机,所述晶圆半导体产品包括光学对准场以及多个管芯曝光场;所述光学对准场包括至少一个光学对准目标标记、至少一个第一精细对准目标标记、以及多个管芯;其中,所述光学对准目标标记的对位精度低于所述精细对准目标标记的对位精度,所述管芯与所述光学对准目标标记之间间距不小于一预设的安全距离。由于在光学对准场内除开对准目标标记区域的空白区域内也布置有效管芯,光学对准目标标记与其相邻的管芯之间间距不小于一预设的安全距离,这样避免了管芯和光学对准目标标记的相互影响,在保
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113219799 A
(43)申请公布日 2021.08.06
(21)申请号 202110317708.X
(22)申请日 2021.03.25
(71)申请人 北海惠科半导体科技有限公司
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