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本发明公开了一种基于蒙特卡洛方法的SRAM单粒子翻转截面预测方法，包括：建立器件模型；根据器件模型建立SRAM电路；对SRAM电路的器件模型沿长度方向进行均匀划分以建立复合敏感体；获取SRAM电路在复合敏感体的不同入射位置和不同入射深度使SRAM电路发生翻转的LET阈值；基于LET阈值，根据预设数量的入射粒子入射复合敏感体得到使SRAM电路发生翻转的粒子数占比；根据使SRAM电路发生翻转的粒子数占比得到器件模型在不同入射能量下的翻转截面分布传递曲线。本发明进行器件单粒子蒙特卡洛仿真并且测定翻转截
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113239602 A
(43)申请公布日 2021.08.10
(21)申请号 202110336380.6
(22)申请日 2021.03.29
(71)申请人 西安电子科技大学
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