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一种半导体结构,包括:衬底;垂直鳍状物,所述垂直鳍状物设置在所述衬底的顶表面上方;第一垂直传输场效应晶体管(VTFET),所述第一垂直传输场效应晶体管围绕所述垂直鳍状物的第一部分设置在所述衬底的所述顶表面上方;隔离层,所述隔离层围绕所述垂直鳍状物的第二部分设置在所述第一VTFET上方;以及第二VTFET,所述第二VTFET围绕所述垂直鳍状物的第三部分设置在所述隔离层的顶表面上方。垂直鳍状物的第一部分包括具有第一晶体取向的第一半导体层,第一晶体取向为第一VTFET提供第一垂直传输沟道,所述垂直鳍状
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113228231 A
(43)申请公布日 2021.08.06
(21)申请号 201980085874.2 (74)专利代理机构 中国贸促会专利商标事务所
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