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根据一些实施例，本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括：栅极堆叠件，设置在半导体衬底上方；以及源极/漏极部件，设置在所述半导体衬底中且邻近所述栅极堆叠件，其中，所述源极/漏极部件包括：第一半导体材料，包括第一浓度的掺杂剂；第二半导体材料，设置在所述第一半导体材料上方，所述第二半导体材料包括第二浓度的掺杂剂，所述第二浓度大于所述第一浓度；和第三半导体材料，设置在所述第二半导体材料上方，所述第三半导体材料包括小于所述第二浓度的第三浓度的掺杂剂，其中，所述第三半导体材料的顶面限定凹槽。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113224138 A
(43)申请公布日 2021.08.06
(21)申请号 202110454881.4 H01L 21/02 (2006.01)
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