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2023-06-16 发布于四川
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一种TOPCon钝化接触结构中多晶硅层的数据测定方法.pdf

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一种TOPCon钝化接触结构中多晶硅层的数据测定方法，包括以下步骤：S1.在同等工艺条件下制备具有TOPCon钝化接触结构的使用品和测定品，并在测定品上增设电介质层：使用品包括从内到外依次位于晶体硅衬底上的隧穿氧化层和多晶硅层；测定品包括从内到外依次位于晶体硅衬底上的电介质层、隧穿氧化层和多晶硅层，使用品中的所述隧穿氧化层和多晶硅层分别与测定品中的隧穿氧化层和多晶硅层具有一致性；S2.对测定品和/或使用品进行数据测定，和/或对数据测定结果进行比对分析，得出最终测定结论。按照本发明提供的技术方案与

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113241308 A (43)申请公布日 2021.08.10 (21)申请号 202110481567.5 (22)申请日 2021.04.30 (71)申请人泰州中来光电科技有限公司

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