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2023-06-16 发布于四川
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本发明公开了一种图像传感器，其包括硅器件，该硅器件具有由硅部分和非硅部分组成的表面周期性结构，该周期性结构由多个超级单元以二维晶格模式重复形成。该传感器的每个像素具有至少2x2的超级单元。晶格常数由待测光波长范围所决定。每个超级单元内，非硅部分为光提供了随着深度逐渐变化的有效折射率。超级单元中的非硅部分的水平轴向特征尺寸小于待测光的波长，而垂直特征尺寸大于待测光的波长。一些案例中，超级单元包括至少两个具有不同底座尺寸和/或高度的倒金字塔。电介质填充周期性结构的非硅部分并覆盖硅器件。本技术方案相对

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113224092 A (43)申请公布日 2021.08.06 (21)申请号 202110218793.4 (22)申请日 2021.02.26 (30)优先权数据 17/117,48

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