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2023-06-16 发布于四川
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本发明提供一种双面发光LED芯片，其为向P‑N结的上侧和下侧分别进行发光的双面发光LED芯片，且为利用包括P层和设置在上述P层下方的N层的P‑N结的电致发光效应的LED芯片，上述双面发光LED芯片的特征在于，向上述P层的上侧方向和上述N层的下侧方向分别进行发光。根据本发明，可以作为单一芯片适用于需要双面发光的领域，能够实现适用设备的小型化，提高功率效率，具有降低制造成本的效果。并且，根据本发明制造的双面发光LED芯片可以通过批量工艺制造，因此不需要单独的封装工序。并且，根据本发明的双面发光LED

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113228308 A (43)申请公布日 2021.08.06 (21)申请号 201980087439.3 (74)专利代理机构北京青松知识产权代理事务

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