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2023-06-16 发布于四川
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半导体结构及其形成方法.pdf

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半导体结构包括设置在半导体衬底上方的半导体层的第一堆叠件，其中半导体层的第一堆叠件包括第一SiGe层和设置在第一SiGe层上方的多个Si层，并且Si层基本上不含Ge；以及邻近半导体层的第一堆叠件的半导体层的第二堆叠件，其中半导体层的第二堆叠件包括第一SiGe层和设置在第一SiGe层上方的多个第二SiGe层，并且其中第一SiGe层和第二SiGe层具有不同的组分。半导体结构还包括与半导体层的第一堆叠件交错以形成第一器件的第一金属栅极堆叠件和与半导体层的第二堆叠件交错以形成不同于第一器件的第二器件的第

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113224057 A (43)申请公布日 2021.08.06 (21)申请号 202110443667.9 (22)申请日 2021.04.23 (30)优先权数据

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