碳化硅长晶设备及其长晶方法.pdfVIP

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本发明提供一种碳化硅长晶设备及其长晶方法，所述碳化硅长晶设备包括物理气相传输单元以及原子层沉积单元。物理气相传输单元具有长晶炉，经配置以在长晶炉的内部空间中成长碳化硅晶体。原子层沉积单元耦接于长晶炉，经配置以对碳化硅晶体进行原子掺杂动作。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113249795 A (43)申请公布日 2021.08.13 (21)申请号 20201

知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来，知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作，经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。

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