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2023-06-16 发布于四川
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一种氮化硅陶瓷基板及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种氮化硅陶瓷基板及其制备方法，包括步骤：S1、在氮化硅底料中按照第一预设重量的比例加入配料及助烧剂形成混合底料；S2、按照第二预设重量的比例加溶剂并同时进行球磨混合；S3、将球磨后的材料在模具中进行压制成型；S4、将压制成型后的材料进行烧结得到氮化硅陶瓷基板。具有热导率高，与单晶Si相近的热膨胀系数、电绝缘及机械性能良好。较突出特点是氮化硅基板的厚度可以做到0.28‑0.34mm，并且弯曲强度较高，机械性能好，不易折断变形，基板尺寸边长32‑200mm。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113233903 A (43)申请公布日 2021.08.10 (21)申请号 202110053149.6 (22)申请日 2021.01.15 (71)申请人辽宁伊菲科技股份有限公司

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