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基于忆阻器的2T1R阵列及其并行操作方法和算法.pdfVIP

基于忆阻器的2T1R阵列及其并行操作方法和算法.pdf

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    本发明提供了一种基于忆阻器的2T1R阵列，所述2T1R阵列包括相互连接的2T1R忆阻器单元电路，所述2T1R忆阻器单元电路由第一个晶体管、第二个晶体管和一个忆阻器构成，所述2T1R阵列为十字交叉结构，且所述2T1R忆阻器单元电路位于阵列的十字交叉点上。还提供了其并行操作方法和算法。本发明的2T1R忆阻器阵列可以并行地同时对所有忆阻器进行置位或复位操作。提升了存内计算读取和写入的并行程度，提升了阵列器件的利用率。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113222128 A (43)申请公布日 2021.08.06 (21)申请号 202110297040.7 (22)申请日 2021.03.19 (71)申请人 国家纳米科学中心 地址

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