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2023-06-16 发布于四川
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提供了一种非易失性存储器器件及其制造方法。一种非易失性存储器器件，包括：衬底；第一半导体层，在衬底上；蚀刻停止膜，包括第一半导体层上的金属氧化物；模制结构，其中通过在蚀刻停止膜上交替堆叠第二半导体层和绝缘层来构成所述模制结构；沟道孔，其穿透模制结构、蚀刻停止膜、第一半导体层和衬底中的至少一个；以及沟道结构，沿沟道孔的侧壁延伸，并包括沿沟道孔的侧壁顺序地形成的抗氧化膜、第一阻挡绝缘膜、第二阻挡绝缘膜、电荷存储膜、隧穿绝缘膜和沟道半导体，其中所述第一半导体层接触所述第一阻挡绝缘膜、第二阻挡绝缘膜、电

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113257828 A (43)申请公布日 2021.08.13 (21)申请号 202110100315.3 (22)申请日 2021.01.25 (30)优先权数据

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