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本发明提出一种具有低漏电高稳定性的沟槽型SGT‑MOS器件，所述器件的外延层（1）处设有若干内置有多晶固体（15）的沟槽（12）；所述多晶固体呈I型结构；所述沟槽的底部及内侧壁处均设有与多晶固体贴合的绝缘层；所述沟槽内侧壁处的绝缘层的顶部低于外延层，使绝缘层、外延层和多晶固体的侧壁围成位于I型多晶固体侧壁处的两个介质槽（18）；所述绝缘层为包括第一绝缘结构（13）、第二绝缘结构（14）的组合结构；本发明改善了器件内部两侧的介质槽生长介质时，介质厚度不均，厚度不容易控制，栅极与源极的漏电大的问题。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113224151 A
(43)申请公布日 2021.08.06
(21)申请号 202110475043.5
(22)申请日 2021.04.29
(71)申请人 厦门吉顺芯微电子有限公司
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