形成横向蚀刻间隔物的半导体结构.pdfVIP

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2023-06-16 发布于四川
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形成横向蚀刻间隔物的半导体结构.pdf

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本揭露为关于一种形成横向蚀刻间隔物的半导体结构，包括基板及位于基板上的一对间隔物。一对间隔物中的每个间隔物包括具有第一宽度的上方部分及在上方部分下方的下方部分，下方部分具有与第一宽度不同的第二宽度。半导体结构还包括位于一对间隔物之间的栅极结构。栅极结构具有上方栅极长度及下方栅极长度，下方栅极长度不同于上方栅极长度。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113257814 A (43)申请公布日 2021.08.13 (21)申请号 202110118153.6 H01L 21/8234 (2006.01)