一种制备SiC纳米线场效应晶体管及光电探测装置的方法.pdfVIP

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2023-06-16 发布于四川
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一种制备SiC纳米线场效应晶体管及光电探测装置的方法.pdf

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一种制备SiC纳米线场效应晶体管及光电探测装置的方法，包括以下步骤；(1)制备SiC纳米线的分散溶液；(2)将步骤(1)得到的溶液放入超声波清洗仪中进行超声分散；(3)清洗硅片；(4)干燥硅片；(5)在步骤(4)干燥后的硅片表面用移液枪滴一滴步骤(2)得到的SiC纳米线分散溶液，再放入真空干燥箱烘干表面水分，找到单根SiC纳米线的样品；(6)将步骤(5)中烘干后的硅片放入FIB设备中，选取SiC纳米线；(7)用聚焦离子束沉积技术在步骤(6)得到的SiC纳米线两端分别制作源漏电极；(8)在硅片背面

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113224207 A (43)申请公布日 2021.08.06 (21)申请号 202110504781.8 H01L 29/06 (2006.01)

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