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2023-06-16 发布于四川
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CMOS图像传感器及其制造方法.pdf

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本发明公开了一种CMOS图像传感器，内部形成有金属杂质吸附结构，金属杂质吸附结构由通过对浅沟槽隔离中的内衬氧化层进行处理形成，对内衬氧化层的处理步骤包括：在内衬氧化层形成于浅沟槽的内侧表面之后，对内衬氧化层进行退火处理且通过退火处理在浅沟槽隔离的区域半导体衬底内形成氧沉淀，利用氧沉淀形成吸附金属杂质的应力场形成所述金属杂质吸附结构。本发明还公开了一种CMOS图像传感器的制造方法。本发明能对CMOS图像传感器中的金属杂质进行吸附聚集，从而能防止金属杂质对器件产生污染并降低白点数量，能降低工艺成本。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113224094 A (43)申请公布日 2021.08.06 (21)申请号 202110417985.8 (22)申请日 2021.04.19 (71)申请人华虹半导体（无锡）有限公司

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