沟槽式晶体管及其制造方法.pdfVIP

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2023-06-17 发布于四川
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沟槽式晶体管及其制造方法.pdf

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本发明提供一种沟槽式晶体管及其制造方法。所述沟槽式晶体管的制造方法包括以下步骤。于衬底中形成沟槽。于沟槽的侧壁与底面上形成第一绝缘层。于沟槽中的第一绝缘层上形成第一导电层，其中孔洞或孔隙形成于部分第一导电层中。移除部分第一导电层，以去除孔洞或孔隙。于沟槽中的第一导电层上及位于所述沟槽的侧壁上的所述第一绝缘层上形成保护层。移除保护层与沟槽的侧壁之间的至少部分第一绝缘层。于沟槽的暴露出的侧壁上形成第二绝缘层。移除保护层。于第一导电层上形成第二导电层。移除第二导电层上方的第二绝缘层。于第二导电层上以及

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116264164 A (43)申请公布日 2023.06.16 (21)申请号 202210137194.4 (22)申请日 2022.02.15 (30)优先权数据 110146874 2021.