半导体装置及半导体装置的制造方法.pdfVIP

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2023-06-17 发布于四川
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半导体装置及半导体装置的制造方法.pdf

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本发明的半导体装置，包括：由第一导电型构成的低浓度第一导电型半导体层12；设置在低浓度第一导电型半导体层12上，且由第二导电型构成的第二导电型半导体层13；以及设置在第二导电型半导体层13的一部分上的钝化膜。其中，距离第二导电型半导体层13的一侧的面30μm以内的距离处的杂质浓度可以≤1×1019cm‑3≥1×1017cm‑3。第二导电型半导体层13、以及低浓度第一导电型半导体层12与第二导电型半导体层13之间的界面可以含有重金属。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113284938 A (43)申请公布日 2021.08.20 (21)申请号 202110117781.2 H01L 21/225 (2006.01) (22)申请日