半导体器件的导电特征及其形成方法.pdfVIP

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2023-06-17 发布于四川
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半导体器件的导电特征及其形成方法.pdf

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本公开总体涉及半导体器件的导电特征及其形成方法。一种方法包括：在衬底之上形成器件区域；在器件区域之上形成第一电介质层；在第一电介质层中形成开口；沿着开口的侧壁和底表面共形地沉积第一导电材料；在第一导电材料上沉积第二导电材料以填充开口，其中，第二导电材料不同于第一导电材料；以及执行第一热工艺以形成从第一导电材料的第一区域延伸到第二导电材料的第二区域的界面区域，其中，界面区域包括第一导电材料和第二导电材料的均匀混合物。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114725017 A (43)申请公布日 2022.07.08 (21)申请号 202210186160.4 (22)申请日 2022.02.28 (30)优先权数据