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- 2023-06-17 发布于四川
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涉及一种半导体装置及半导体装置的制造方法。一种半导体装置包括:层叠结构,该层叠结构包括彼此间隔开的导电图案;沟道结构,该沟道结构穿透层叠结构;以及狭缝绝缘层,该狭缝绝缘层穿透层叠结构。在导电图案之间限定气隙。狭缝绝缘层包括覆盖一个第一导电图案的侧壁的第一插置部分和从侧面覆盖一个气隙的第二插置部分。第二插置部分的最小宽度小于第一插置部分的最小宽度。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113921530 A
(43)申请公布日 2022.01.11
(21)申请号 202110307282.X H01L 45/00 (2006.01)
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